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STL60N10F7  与  BSC190N15NS3 G  区别

型号 STL60N10F7 BSC190N15NS3 G
唯样编号 A36-STL60N10F7 A-BSC190N15NS3 G
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 18 mOhm SMT Power Mosfet - PowerFLAT™ 5x6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 19mΩ@50A,10V
上升时间 - 53ns
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 125W
Qg-栅极电荷 - 31nC
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 29S
典型关闭延迟时间 - 25ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - TDSON-8-1
连续漏极电流Id - 50A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 5.9mm
下降时间 - 6ns
典型接通延迟时间 - 15ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 5,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STL60N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
BSC160N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC160N10NS3GATMA1_100V 42A 13.9mΩ 20V 60W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 5,000 对比
BSC190N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC190N15NS3GATMA1_150V 50A 19mΩ@50A,10V ±20V 125W -55°C~150°C N-Channel TDSON-8-1

暂无价格 5,000 对比
IRFH5053TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),8.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 18mΩ@9.3A,10V N-Channel 100V 25A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC159N10LSF G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC159N10LSFGATMA1_100V 9.4A 15.9mΩ 20V 114W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IRFH5210TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.6W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14.9mΩ@33A,10V N-Channel 100V 10A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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